压接型IGBT器件封装结构中PEEK框架的绝缘特性分析

• 作者: 付鹏宇 张朋 李金元 王浩宇 赵志斌
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 聚醚醚酮 绝缘 电导率 温度
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 绝缘技术
• 页码范围: 60-66
• 页数: 7页
• 分类号: TM215.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2019.06.013

摘要

为了改善压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件子模组中聚醚醚酮(PEEK)框架的绝缘性能,探讨了PEEK电导率表征模型和测量方法,分析了电导率经验模型中引起电导率改变的主要因素及其对PEEK框架绝缘性能的影响.结果 表明:温度为影响电导率变化的主要因素,但不同温度条件下的电场仿真计算表明,PEEK框架温度不影响IGBT器件中子模组的电场分布和绝缘性能.通过仿真计算发现,增大PEEK框架与芯片间气隙距离可以显著提高压接型IGBT器件的绝缘性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵志斌		77	1185	18.0	33.0
2	付鹏宇		4	0	0.0	0.0
3	李金元		5	0	0.0	0.0
4	王浩宇		2	0	0.0	0.0
5	张朋		1	0	0.0	0.0