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摘要:
A Te-free binary phase change material SbBi is proposed as a new inorganic photoresist for heat-mode lithography.It shows good film-forming ability (surface roughness <1 nm),low threshold power for crystallization (2 mW),and high etching selectivity (15∶1).Line-type,dot-type,and complex pattern structures with the smallest feature size of 275 nm are fabricated on SbBi thin films using a 405 nm diode laser direct writing system.In addition,the excellent grating structures with a period of 0.8 μm demonstrate that thermal interference does not affect the adjacent microstructures obviously.These results indicate that SbBi is a promising laser heat-mode resist material for micro/nanostructure fabrication.
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文献信息
篇名 Te-free SbBi thin film as a laser heat-mode photoresist
来源期刊 中国光学快报(英文版) 学科
关键词
年,卷(期) 2019,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 105-108
页数 4页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.3788/COL201917.093102
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中国光学快报(英文版)
月刊
1671-7694
31-1890/O3
大16开
上海市嘉定区清河路390号(上海800-211信箱)
4-644
2003
eng
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