基于显微红外热点定位系统的发光二极管失效分析

• 作者: 唐浩洲 康丽娟 廖少雄 张槐洋 文尚胜 方方 林凯旋 邵沅玲 魏志权
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 显微红外热点定位 发光二极管 失效分析 失效定位 双线性插值算法
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 发光学应用及交叉前沿
• 页码范围: 1185-1191
• 页数: 7页
• 分类号: TN312+.8|TN307|TN219
• 字数: 3435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194009.1185

摘要

失效定位技术是发光二极管失效性分析中的重要组成部分,本文在主流的3种失效定位技术:光子辐射显微技术、光诱导电阻变化、红外热成像显微技术的基础上,提出了一种显微红外热点定位测试系统.该系统通过双线性插值算法使源图像放大至原来的4倍,在使用20μm微距镜头的条件下,能达到与5μm微距镜头接近的效果,降低了LED失效检验成本.利用可见光图像和红外热像图的叠加,提高电压对LED芯片失效点进行锁定,能在大范围内迅速定位LED芯片缺陷所在.在此基础上,结合FIB技术和SEM设备分析LED芯片微观结构,可以进一步分析LED芯片的失效原因,最终得到LED芯片的失效机理.实验结果表明,在初步的缺陷定位中,显微红外热点定位系统可快速地在无损条件下大范围区域内提供LED热数据分布,定位关键失效点,有效地提高了工作效率,降低了失效检测成本.