半导体中杂质不完全电离的分析

• 作者: 黄海猛
• 来源期刊: 大学物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 杂质不完全电离 掺杂 4H-SiC
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 教学讨论
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: O413.1
• 字数: 3202字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16854/j.cnki.1000-0712.190016

摘要

杂质电离现象是“半导体物理学”课程的重要知识点和难点之一.本文通过对杂质电离的深入分析,推导出杂质电离程度η、温度T、掺杂浓度ND及施主杂质电离能△ED等4个重要物理量之间的关系.进一步深入讨论杂质完全电离的最大掺杂浓度上限、电离比例与杂质电离能的关系,同时引入Lambert W函数简化对温度的求解.最后研究4H-SiC中杂质不完全电离的问题.本文的分析方法不仅可加强学生对杂质电离的系统理解,而且可培养学生的分析和创新能力,有助于将来研究和设计半导体器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄海猛	电子科技大学电子科学与工程学院	2	0	0.0	0.0