基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺的1.2 GHz LNA的设计和仿真

• 作者: 惠强 李鑫 祁赓 黄海生
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 共源共栅 噪声系数 功率增益 1dB压缩点
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 84-88,94
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 3013字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.12.014

摘要

针对射频接收机芯片中的低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)电路在工作时要求拥有更小的噪声系数和更好的隔离度等问题,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺结合共源共栅结构设计了一款低噪声放大器,在导航接收机中主要用来接收GPS L2频段信号和BDS B2频段信号.通过对器件尺寸的计算和选择,使得电路具有良好的噪声性能及线性度.利用Cadence软件中Spectre对所设计的电路进行仿真.得到仿真结果为:LNA在1.8 V电源电压下,功耗为4.28 mW,功率增益为18.51 dB,输入回波损耗为38.67 dB,输出回波损耗为19.21 dB,反向隔离度S12为-46.91 dB,噪声系数(Noise Figure,NF)为0.41 dB,输入1 dB压缩点为-11.70 dBm,输入三阶交调点为-1.50 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄海生	西安邮电大学电子工程学院	57	146	6.0	9.0
2	李鑫	西安邮电大学电子工程学院	25	50	4.0	6.0
3	惠强	西安邮电大学电子工程学院	2	0	0.0	0.0
4	祁赓	西安邮电大学电子工程学院	1	0	0.0	0.0