Na、Lu掺杂Mg2Si的电子结构及光学性质的第一性原理计算

• 作者: 何安娜 秦铭哲 肖清泉 谢泉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 Mg2Si 掺杂 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2194-2200
• 页数: 7页
• 分类号: O481.1|O472+.3
• 字数: 3072字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.12.005

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,研究了未掺杂Mg2Si以及Na、Lu掺杂Mg2Si的电子结构和光学性质.计算结果表明:Na掺杂Mg2Si后,费米能级进入价带,呈p型导电;Lu掺杂Mg2Si后,费米能级进入导带,呈n型导电.未掺杂Mg2Si对于能量低于0.5eV的光子几乎不吸收,但Na、Lu掺杂的Mg2Si对于能量低于0.5eV的光子还存在较大的吸收,即Na、Lu掺杂改善了Mg2Si对红外光子的吸收.掺杂后,可见光区的吸收系数与反射率明显减小,这说明掺杂的Mg2Si在可见光区的透过率增大.计算结果为Mg2Si 基光电器件的设计与应用提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	肖清泉	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	40	199	7.0	13.0
3	何安娜	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	2	1	1.0	1.0
4	秦铭哲	贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所	2	1	1.0	1.0