δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响

• 作者: 丛伟艳 宋迎新 李斌 李素梅 王爱芳 郑卫民 黄海北
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂剂量 δ-掺杂 GaAs/AlAs量子阱 受主的扩散分布
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1240-1246
• 页数: 7页
• 分类号: O471.5
• 字数: 1541字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194010.1240

摘要

在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂.铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出.高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱价带的子带中引入空穴.带负电荷的扩散受主离子和价带子带中的空穴,它们都是带电粒子在GaAs阱层中按库伦定律激发电场.相比较而言,对于无掺杂同结构量子阱,在空穴的薛定谔中增加了一个额外的微扰势,从而使无掺杂的量子阱价带的子带有所改变.在有效质量和包络函数近似下,通过循环迭代方法,数值求解了既满足薛定谔方程又满足泊松方程的空穴波函数,找出了自洽、收敛的空穴子带的能量本征值.计算发现考虑到这种额外微扰势,重空穴基态子带hh的能量有一个电子伏特变化,并且随着掺杂受主剂量的增加,重空穴基态子带hh向着价带顶红移,计算结果与实验测量符合得很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国科学院上海技术物理研究所	372	5610	37.0	58.0
2	宋迎新		4	0	0.0	0.0
3	黄海北	墨尔本大学化学院	1	0	0.0	0.0