碳化硅MOSFET栅极驱动的优化设计

• 作者: 刘平 李波 赵阳 黄守道
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管 开关振荡 串扰 驱动电路
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 器件与测试
• 页码范围: 137-140
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

碳化硅(SiC)功率器件突破了硅基器件在开关速度等性能上的极限,能够显著减少电力电子装置的重量、体积,提高电力电子系统的功率密度与性能.而SiC器件极快的开关速度对因封装、布线及应用电路引起的寄生参数和器件自身的结电容等非常敏感,极易发生开关振荡、串扰以及驱动失效等问题,给高密度、大功率场合下的应用带来挑战.首先分析了SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)应用电路中开关振荡和串扰的产生机理,提出SiC MOSFET的驱动电路设计要点并设计制作一种SiC MOSFET驱动电路,利用有限元软件对主回路和驱动回路的印刷电路板(PCB)布线进行了仿真分析,随后搭建了DC/DC升压变换器进行实验,验证了此处理论分析与碳化硅MOSFET驱动电路的设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄守道		356	3688	30.0	46.0
2	刘平		39	90	5.0	8.0
3	李波		75	779	13.0	25.0
4	赵阳		5	20	3.0	4.0