PbSe/MoSe2异质结光敏二极管研制

• 作者: 代天军 刘兴钊 潘棋 范旭东
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硒化铅 硒化钼 异质结 光敏二极管 红外探测器
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试用
• 页码范围: 86-89
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 1825字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.06.014

摘要

采用分子束外延制备了PbSe与MoSe2薄膜,使用Raman光谱和XRD衍射谱进行表征;并研制出PbSe/MoSe2异质结光敏二极管,研究了其光电响应特性.使用1300 nm红外光源照射,在零偏压和-5 V偏压加载下,所研制异质结光敏二极管的探测率分别为5×109 cm·Hz1/2·W-1和2.9×1011 cm·Hz1/2·W-1,显示出优异的光电响应特性.尤其在负偏压工作模式下,由于器件处于关断状态,具有更低的暗电流,因此,具有更高的光/暗电流比和更加优异的综合性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘兴钊	电子科技大学电子科学与工程学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	56	310	9.0	14.0
2	范旭东	电子科技大学电子科学与工程学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	代天军	电子科技大学电子科学与工程学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	潘棋	电子科技大学电子科学与工程学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0