直流磁控溅射生长(002)择优取向AlN薄膜及其光致发光

• 作者: 刘俊 吕伟 李健亮 李思达 沈龙海 赵鹏宇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 择优取向 光致发光 缺陷发光
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 719-724
• 页数: 6页
• 分类号: O471.4|O482.31
• 字数: 3267字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194006.0719

摘要

采用直流反应磁控溅射法,在玻璃衬底上生长了沿(002)择优取向的AlN薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对AlN薄膜结构和表面形貌进行表征,并测量了AlN薄膜在405 nm激光激发下的光致发光(PL)光谱.结果表明,在不同氮气含量条件下生长的AlN薄膜均呈(002)择优取向,薄膜表面呈小颗粒密堆积排列,颗粒尺寸在20 nm左右.不同氮气含量条件下生长的AlN薄膜在550 nm处均有较强的由于VAl能级向价带跃迁引起的缺陷能级发光峰;AlN薄膜在589,614,654 nm处也有较弱的缺陷能级发光峰,随着氮气含量增大,缺陷能级发光峰越来越明显,产生原因分别为ON-ON缺陷对向VAl-2ON产生的复合缺陷能级的跃迁、导带向与氧有关的杂质能级(IO)间的跃迁以及VAl-ON深能级向价带的跃迁.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈龙海	沈阳理工大学理学院	23	41	4.0	5.0
2	吕伟	沈阳理工大学理学院	3	0	0.0	0.0
3	刘俊	沈阳理工大学理学院	2	0	0.0	0.0
4	赵鹏宇	沈阳理工大学理学院	1	0	0.0	0.0
5	李健亮	沈阳理工大学理学院	3	1	1.0	1.0
6	李思达	沈阳理工大学理学院	2	0	0.0	0.0