GaAs (001)图形衬底上InAs量子点的定位生长

• 作者: 张建军 王海玲 王霆
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InAs量子点 图形衬底 成核位置 定位生长
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 230-236
• 页数: 7页
• 字数: 2163字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20190317

摘要

InAs/GaAs量子点是重要的单光子源,位置可控量子点对实现可寻址易集成的高性能量子点光源具有重要意义.本文详细研究了氢原子条件下GaAs (001)图形衬底的低温脱氧过程,低温GaAs缓冲层生长中沟槽形貌的演化过程,以及沟槽形貌对量子点形核位置的影响.发现GaAs衬底上纳米沟槽侧壁的倾斜角较小时,InAs量子点会优先生长于沟槽底部;当沟槽的侧壁倾斜角较大时,InAs量子点则会优先生长于沟槽两侧的外边沿位置.此外,本文还研究了纳米孔洞侧壁的倾斜角对量子点成核位置的影响,实现了双量子点分子和四量子点分子的定位生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王霆	中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室	7	16	3.0	3.0
2	张建军	中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室	35	251	8.0	15.0
3	王海玲	中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室	3	22	1.0	3.0