La和Sr的掺杂对PZT薄膜电学性质的影响

• 作者: 丁长路 张宏宇 李伟 郑伟
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: PZT薄膜 La和Sr掺杂 铁电性 介电性 压电性
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 页码范围: 513-516
• 页数: 4页
• 分类号: TN384|TM22+1
• 字数: 2876字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11977/j.issn.1004-2474.2019.04.013

摘要

该文采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了掺杂La元素的Pb1-0.05La0.05ZrTiO3(PLZT)、掺杂Sr元素的Ph1-0.05Sr0.05ZrTiO3(PSZT)、掺杂La和Sr元素的Pb1-0.1La0.05Sr0.05ZrTiO3 (PLSZT)及未掺杂的锆钛酸铅(PZT)薄膜样品.对不同掺杂情况的样品分别进行了压电系数、电滞回线、介电特性的测试.结果 表明,双掺杂样品PLSZT薄膜具有比其他样品更好的铁电性能,其剩余极化强度(Pr)为13.2 μC/cm2,饱和极化强度(Ps)为28.4 μC/cm2,矫顽场(Ec)为54.8 kV/cm;双掺杂样品PLSZT薄膜的压电系数(d33)比其他3种样品高,达到153 pC/N.掺杂后的样品与未掺杂的样品相比,其介电常数有略微提高;单掺杂La的样品的介电特性在高频环境下更稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	重庆大学新型微纳米器件和系统技术重点学科实验室	89	932	17.0	28.0
2	郑伟	重庆大学新型微纳米器件和系统技术重点学科实验室	9	135	3.0	9.0
3	丁长路	重庆大学新型微纳米器件和系统技术重点学科实验室	3	1	1.0	1.0
4	张宏宇	重庆大学新型微纳米器件和系统技术重点学科实验室	1	0	0.0	0.0