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摘要:
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65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究
多位翻转
静态随机存储器
双阱
电荷共享
重离子
微束实验
基于改进Event模型的航路飞行过程垂直碰撞风险研究
改进 Event模型
平行航路
碰撞风险
拼接椭圆锥体
高度层
用Cell组件生成测试报表
Cell组件
ActiveX控件
测试报表
内容分析
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文献信息
篇名 Single-event upset prediction in static random access memory cell account for parameter variations
来源期刊 中国科学 学科 工学
关键词 SEU Single-event upset prediction in static random access memory cell account for parameter variations
年,卷(期) zgkx_2019,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 177-179
页数 3页 分类号 TP333
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
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SEU
Single-event upset prediction in static random access memory cell account for parameter variations
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期刊影响力
中国科学
月刊
CN 11-1789/N
出版文献量(篇)
3119
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13
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