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摘要:
采用射频溅射磁控溅射技术在Ar+H2气氛下,以V2O5为溅射靶材在玻璃基片上制备了H掺杂VO2(HVO2)薄膜,研究了H2流量和退火处理对HVO2薄膜的结构、光电性能和热稳定性的影响.结果 表明:H2流量可以控制薄膜中H的含量,微量H的掺杂使HVO2薄膜相变温度降低到室温附近,过量的H掺杂会使薄膜处于金属态.当500℃下退火3h后,薄膜物相、相变等特征明显变化,此时薄膜中的H不能稳定存在于VO2晶格而溢出薄膜.当退火温度≤450℃、退火时间≤6h时,薄膜保持较高的稳定性,这为室温附近使用HVO2薄膜提供了基础.另外,随H2流量增加,薄膜的平均透射率小幅度增加,最终稳定在37%左右.随着退火温度的增加,未引入H2制备的VO2薄膜的平均透射率在400℃退火后为30.9%,在450和500℃退火后为35.8%左右.H2流量为0.1~0.5 mL/min时制备的样品在3种退火温度下的透射率均保持在38%左右.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 HVO2薄膜相变的特性及热稳定性
来源期刊 硅酸盐学报 学科 工学
关键词 氢掺杂二氧化钒 薄膜 相变温度 退火处理 溅射法 热稳定性
年,卷(期) 2019,(8) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1167-1174
页数 8页 分类号 TN304
字数 语种 中文
DOI 10.14062/j.issn.0454-5648.2019.08.19
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研究主题发展历程
节点文献
氢掺杂二氧化钒
薄膜
相变温度
退火处理
溅射法
热稳定性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
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