二氧化硅纳米球辅助制备n+发射极 太阳电池性能研究

• 作者: 任学明 刘连峰 李琰琪 沈鸿烈 王明明 陈春明 顾浩
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 SiO2纳米球磷扩散 旋涂后热扩散 均匀性 发射极
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1090-1094
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4|TN304
• 字数: 3928字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.05.003

摘要

为了解决旋涂磷源扩散制备发射极片内均匀性差的问题,采用在磷酸溶液中添加二氧化硅纳米球方法,结合旋涂热扩散形成n+发射极并制作了太阳电池.结果表明:添加纳米球磷扩散后,样品的均匀性从86.0％提升到96.8％,增加了表面掺杂浓度和少子寿命.太阳电池的电致发光(EL)测试表明电池的EL图像亮度也更高更均匀.未添加纳米球扩散中心位置的电池效率为14.25％,边缘效率为8.36％;添加纳米球后中心位置效率为17.04％,边缘效率为16.57％,填充因子由48％提升到78％.