单/双离子替代对铁酸铋薄膜性能影响的研究进展

• 作者: 付东旭 张青松 李妍 竺云
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 铁酸铋薄膜 离子替代 漏电流 剩余极化 矫顽电场
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 10-17
• 页数: 8页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2018.000838

摘要

铁酸铋在室温下既可表现出铁电性又可表现出反铁磁性,在器件应用上有非常大的应用前景,因此被认为是最有前途的多铁性化合物之一.本文综述了多铁性材料的发展历史、铁酸铋晶体结构以及国内外近年来关于铁酸铋薄膜铁电性能离子替代改性的相关工作及研究进展.本文重点围绕由镧系和低价碱金属元素的A位替代、过渡族金属元素的B位替代,以及A,B位共同替代对铁酸铋薄膜的漏电流、铁电性的影响,并系统总结了不同元素、不同掺杂量对A,B位替代的铁酸铋薄膜的剩余极化和矫顽电场值的影响,更为直观地展现出各类元素离子替代改性对铁酸铋薄膜的影响.本文最后提出了关于铁酸铋薄膜制造工艺、电极材料、薄膜厚度和操作电压等亟待开展的工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张青松	天津工业大学材料科学与工程学院	20	53	4.0	6.0
2	李妍	天津师范大学物理与材料科学学院	6	1	1.0	1.0
3	竺云	天津师范大学物理与材料科学学院	9	9	2.0	3.0
4	付东旭	天津师范大学物理与材料科学学院	1	0	0.0	0.0