化学气相沉积法制备氧化镓纳米线

• 作者: 付博 庄文昌 张凯惠 王汐璆 罗新泽 贾志泰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化镓纳米线 纳米银颗粒 化学气相沉积法
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2174-2178,2185
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 2499字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.12.002

摘要

β-Ga2O3纳米线是一种新型具有强发光特性的宽带隙半导体材料,作为探测器性能稳定巨可靠,近年来受到了极大的关注.本文主要采用化学气相沉积法(CVD),以Ag纳米颗粒为催化剂,在Si(100)衬底上生长了β-Ga2O3纳米线,经EDS、SEM、TEM等技术表征,证明其大部分遵循VLS生长机理,少许遵循VS机制.其中遵循 VLS 生长机制的β-Ga2O3纳米线更细更长,其形貌均匀一致,长度约为230～260 μm,直径约为150～180 nm,巨Ag颗粒皆在纳米线顶部.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄文昌	徐州工程学院化学化工学院	29	43	4.0	5.0
2	罗新泽	伊犁师范大学化学与环境科学学院	9	6	2.0	2.0
3	王汐璆	徐州工程学院化学化工学院	5	0	0.0	0.0
7	贾志泰	山东大学晶体材料国家重点实验室	7	22	3.0	4.0
8	张凯惠	太原理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
9	付博	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0