SiC MOSFET短路检测与保护研究综述

• 作者: 吴海富 张建忠 张雅倩 赵进
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 短路保护 去饱和检测 降栅压
• 年，卷（期）: 2019,（21）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 4519-4528
• 页数: 10页
• 分类号: TM93
• 字数: 3822字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.181433

摘要

随着宽禁带半导体器件的发展,SiC MOSFET被广泛应用于工业领域,其短路保护也越来越多地为人们所重视.本文首先对SiC MOSFET的短路类型进行讨论,给出不同短路类型下的主要电路波形;然后本文对近年来SiC MOSFET短路检测与保护方法进行概述,详细介绍去饱和检测法、电感检测法、门极电压检测法以及基于罗氏线圈的短路检测法的原理,归纳总结各种检测方案的优缺点;最后提出一种降栅压短路保护电路,实现了SiC MOSFET在短路情况下的两级快速保护.