硅材料和二极管的单粒子位移损伤的多尺度模拟研究

• 作者: 唐杜 李永宏 臧航 贺朝会
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 位移损伤 多尺度模拟 单粒子效应 硅 二极管
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 2106-2113
• 页数: 8页
• 分类号: O474|O571
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2019.youxian.0265

摘要

基于二体碰撞近似理论(BCA),应用分子动力学(MD)和动力学蒙特卡罗(KMC)方法相结合的多尺度模拟方法,研究了单粒子位移损伤(SPDD)缺陷及电流的演化过程.研究结果表明,SPDD事件中引起的缺陷在106 s内分为3个阶段:阶段工(1×10-11 s≤t＜2×10-3 s)以点缺陷成团为主;阶段Ⅱ(2×10-3s≤t＜2×102 s)中以缺陷团内部的间隙原子和空位复合反应为主;阶段Ⅲ(t≥2×102 s)中以小缺陷团发射间隙原子和空位为主.提出一种计算粒子在硅二极管中引起的SPDD电流的方法,推导了多种缺陷存在时引起的二极管反向电流增加的计算公式.基于KMC模拟的位移损伤缺陷演化结果,计算了光电二极管的SPDD电流密度及归一化退火因子.结果 表明,KMC模拟计算的退火因子与文献实验测量结果相一致,建立的多尺度模拟方法可预估硅器件的SPDD电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺朝会	西安交通大学核科学与技术学院	35	120	5.0	10.0
2	臧航	西安交通大学核科学与技术学院	7	13	2.0	3.0
3	唐杜	西安交通大学核科学与技术学院	7	13	2.0	3.0
4	李永宏	西安交通大学核科学与技术学院	12	77	3.0	8.0