P123对多孔TiN粉体孔结构及电化学性能的影响

• 作者: 倪洁 刘盼 卜景龙 吕东风 呼世磊 崔燚 魏恒勇
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 多孔TiN粉体 P123 还原氮化 电化学
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 93-100
• 页数: 8页
• 分类号: TB34|O614.41+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2018.000533

摘要

以四氯化钛为钛源,P123为模板剂,氰胺为稳定剂,采用溶胶凝胶法制备多孔TiO2粉体,再经900℃氨气还原氮化得到多孔TiN粉体.通过XRD,SEM,BET,TEM和SAXD等表征粉体物相组成与微观结构,并采用循环伏安法、交流阻抗法和恒流充放电法测试其电化学性能.结果 表明:合成粉体颗粒近似球形,为立方TiN相.相比之下,引入P123时所合成粉体中孔径尺寸为10～50nm的介孔数量增加,并存在孔径大小为2～3nm的微小孔道,同时孔道结构有序性有所提高,这有助于提升TiN粉体的电化学性能.因此,未加入P123合成TiN粉体的比电容仅为81F·g-1,内阻R1为1.1Ω,离子扩散阻抗W1为2.5Ω.引入P123合成TiN粉体的比电容提升到95F·g-1,R1和W1均有所减小,分别为0.9Ω和0.06Ω.