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摘要:
此处提出一种对碳化硅(SiC)混合PiN/Schottky(MPS)二极管导通电阻建模的方法.通过该模型可计算出MPS二极管在单极、小注入及大注入3种工作模式的导通电阻.在单极模式及小注入模式,该模型考虑了温度对迁移率的影响,而在大注入模式下电流密度成为重要的影响因素.载流子分布被分析并运用于求解该电阻模型.经验证该模型能较准确的预测MiPS二极管在各种工作模式的导通电阻.
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文献信息
篇名 4H-SiC混合PiN/Schottky二极管电阻建模
来源期刊 电力电子技术 学科 工学
关键词 二极管 工作模式 导通电阻
年,卷(期) 2019,(9) 所属期刊栏目 器件与测试
研究方向 页码范围 117-120
页数 4页 分类号 TN111
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陶雪慧 9 102 4.0 9.0
2 杜启雯 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
二极管
工作模式
导通电阻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电力电子技术
月刊
1000-100X
61-1124/TM
大16开
西安朱雀大街94号
52-44
1967
chi
出版文献量(篇)
7330
总下载数(次)
19
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