SiNX覆盖层厚度对非晶In-Ga-Zn-O薄膜退火晶化的影响研究

• 作者: 井津域 宋忠孝 李钦 胡浩威
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶IGZO薄膜 退火晶化 N2退火 SiNX
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 907-912
• 页数: 6页
• 分类号: TB43
• 字数: 3206字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.05.023

摘要

采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200 nm的非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20 nm、50 nm、60 nm、70 nm、90 nm的SiNX薄膜覆盖层,于350℃条件下N2气氛中退火1 h.采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、能量色散谱仪(EDS)对IGZO薄膜的微观结构及成分进行研究.研究结果表明,退火后无覆盖层的IGZO膜层仍为非晶状态,70 nm以上SiNX覆盖层下的IGZO薄膜不发生晶化.与此不同,20～60 nm的SiNX覆盖层下IGZO膜层与SiNX覆盖层的界面处存在纳米凸起柱,使IGZO薄膜与SiNX覆盖层的接触界面脱离,此厚度的SiNX覆盖层具有诱导非晶IGZO薄膜晶化的作用,IGZO膜层内部的晶粒直径约10 nm.成分分析结果表明,结晶处In原子含量增加,IGZO薄膜中In原子的局域团聚是IGZO薄膜发生晶化的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋忠孝	西安交通大学材料强度国家重点实验室	30	143	8.0	11.0
2	胡浩威	安徽建筑大学环境与能源工程学院	11	5	1.0	2.0
3	井津域	西安交通大学材料强度国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	李钦	安徽建筑大学材料与化学工程学院	1	0	0.0	0.0