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现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
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摘要：
通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能.
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研究去脉
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期刊影响力
电子产品世界
主办单位：
中国科学技术信息研究所(ISTIC)
美国国际数据集团(IDG)
出版周期：
月刊
ISSN：
1005-5517
CN：
11-3374/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市复兴路15号138室
邮发代号：
82-552
创刊时间：
1993
语种：
chi
出版文献量（篇）
11765
总下载数（次）
14
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