GaN-MOVPE寄生反应的密度泛函理论研究

• 作者: 唐留 张红
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: 密度泛函理论 化学反应 GaN MOVPE 纳米形核 计算化学
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 热力学
• 页码范围: 3275-3282
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.11949/0438-1157.20190116

摘要

利用量子化学的密度泛函理论,探讨了TMG(Ga(CH3)3)/NH3/H2体系中的气体反应机理,特别关注了氨基物DMGNH2的形成及其后的纳米粒子形核路径.通过计算不同温度下不同反应路径上Gibbs自由能的变化,从热力学和动力学两方面分析纳米粒子形核可能的产物.研究发现当T<622 K时,氨基物DMGNH2可由加合物TMG:NH3脱去CH4生成,也可由TMG和NH3双分子碰撞直接生成;当T>622 K时,氨基物DMGNH2直接由TMG和NH3双分子碰撞反应生成.当662.5 K<T<939 K时,二聚物[DMGNH2]2相继脱去CH4,变成[MMGNH]2的反应容易发生.当389 K<T<734.7 K时,三聚物[DMGNH2]3相继脱去CH4,变成[MMGNH]3的反应容易发生.对于[MMGNH]2和[MMGNH]3相继脱去CH4的反应,因为所有反应的ΔG>0,所以很难生成[GaN]2和[GaN]3.因此认为[MMGNH]2和[MMGNH]3是GaN-MOVPE低聚物纳米形核最可能的产物.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张红	江苏大学能源与动力工程学院	23	150	6.0	12.0
2	唐留	江苏大学能源与动力工程学院	3	3	1.0	1.0