多芯并联封装IGBT缺陷与失效先导判据

• 作者: 凌超 孙湖 游小杰 黄先进
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT缺陷与失效 键合线 最小二乘法 杂散参数辨识
• 年，卷（期）: 2019,（z2）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 518-527
• 页数: 10页
• 分类号: TM46
• 字数: 4980字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L80261

摘要

器件由于内部芯片失效而产生IGBT故障,且检测保护困难,大多只能在系统外特性上加以防护,本体还是会受较大损害.高压大功率IGBT模块内部由多芯片和大量键合线构成,器件功能失效很大部分是由铝键合线脱落或者断裂引起的.提早发现或辨知此类缺陷或失效导致的电气特性变化,是构建IGBT故障的先导判据条件,有利于规避潜在故障风险,提高IGBT利用可靠性.针对英飞凌6.5kV多芯片并联封装IGBT模块的布局结构和连接特点,分析连接寄生参数差异对芯片工作状态的影响.以模块内部芯片间键合线的杂散电感和栅极电容参数为研究对象,利用最小二乘法参数辨识机制,构建一种区分模块缺陷与失效的先导判据.研究IGBT模块和元胞栅极等效电路,分析键合线故障导致的电路参数和工作特性变化,通过采样栅极电压与电流数据,利用最小二乘法参数估计得到故障类型及杂散参数数值,通过仿真与实验验证了该方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	游小杰	北京交通大学电气工程学院	102	1319	18.0	35.0
2	孙湖	北京交通大学电气工程学院	25	209	7.0	14.0
3	黄先进	北京交通大学电气工程学院	28	286	8.0	16.0
4	凌超	北京交通大学电气工程学院	2	4	1.0	2.0