PDMS基片表面的光刻胶图形化工艺研究

• 作者: 刘军山 刘泽汉 杨淑凌 郭洪吉
• 来源期刊: 机电工程技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧等离子体 聚二甲基硅氧烷 光刻胶 裂纹
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 70-72,197
• 页数: 4页
• 分类号: TQ333.93
• 字数: 2228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9492.2019.11.024

摘要

在聚二甲基硅氧烷(PDMS)微纳米器件的制造过程中,经常需要在PDMS基片表面进行光刻胶的图形化.建立了一种PDMS基片表面的光刻胶图形化工艺.通过对PDMS基片表面进行氧等离子体改性处理,提高了PDMS的表面润湿性,使得光刻胶可以均匀地旋涂在PD-MS基片表面;提出利用室温下长时间静置代替常规的光刻胶前烘工艺,有效避免了光刻胶在前烘过程中裂纹的产生.最后,作为工艺验证,在PDMS基片表面成功制作出了复杂的光刻胶微阵列图案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘军山	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	43	225	8.0	14.0
2	郭洪吉	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	2	0	0.0	0.0
3	杨淑凌	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	刘泽汉	大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室	1	0	0.0	0.0