CVD-ZnS胞状生长现象对材料结构与性能的影响

• 作者: 史晶晶 李冬旭 李红卫 杨建纯 杨德雨 杨海 郭立 霍承松 魏乃光 黎建明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CVD-ZnS 胞状生长 晶体结构 材料性能
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1233-1239
• 页数: 7页
• 分类号: O78
• 字数: 3140字
• 语种: 中文

摘要

采用化学气相沉积法(CVD)制备大尺寸ZnS晶体(CVD-ZnS),利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析对CVD-ZnS内部的胞状结构进行表征,表明胞状生长现象能改变CVD-ZnS材料内部的晶粒生长方向、分布方式,但对材料内部的物相、元素分布并未造成显著影响;通过对胞状物密集区的光学均匀性检测,分别为2.71×10-5和2.85×10-5,均方根值分别为6.46×10-6和4.98×10-6,正常区域的样品光学均匀性为9.53×10-6,均方根值为1.51 ×10-6,表明胞状物的存在会降低CVD-ZnS材料的光学均匀性;采用三点弯曲法测试材料弯曲强度,四组弯曲强度数据表明CVD-ZnS正常区的弯曲强度明显高于CVD-ZnS胞状物密集区.