空位及氮掺杂二维ZnO单层材料性质:第一性原理计算与分子轨道分析

• 作者: 吴道雄 周铁戈 张召富 李百奎 黄炳铨
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二维材料 ZnO 缺陷 分子轨道理论 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2019,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 246-254
• 页数: 9页
• 字数: 4256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20191258

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统地研究了带缺陷的二维类石墨烯结构的ZnO(graphene like-ZnO,g-ZnO)的几何结构、电子结构、磁性性质和吸收光谱性质.研究的缺陷类型包括锌原子空位(VZn g-ZnO)、氧原子空位(Vo g-ZnO)、氮原子取代氧原子(No_g-ZnO)和表面吸附氮原子(N@g-ZnO).研究发现:No g-ZnO体系和N@g-ZnO体系形变较小,而空位体系会引入较大的形变;g-ZnO本身无磁矩,引入Zn空位后,VZn g-ZnO体系总磁矩为2.00 μB;Vo g-ZnO体系无磁矩,但N掺杂后的No g-ZnO体系和氮吸附的N@g-ZnO体系的总磁矩分别为1.00 μB和3.00 μB.利用掺杂体系的局域对称性和分子轨道理论分析了杂质能级和磁矩的产生原因,并且通过分析光吸收曲线得知,引入空位缺陷或者N原子掺杂,可以有效增强g-ZnO单层材料的光吸收性能.研究结果对系统地理解g-ZnO及其缺陷模型的性质有重要意义,可以为发展基于g-ZnO的纳米电子器件和光催化应用提供理论参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周铁戈	南开大学电子信息与光学工程学院	44	100	5.0	7.0
2	李百奎	深圳大学物理与光电工程学院	3	1	1.0	1.0
3	黄炳铨	深圳大学物理与光电工程学院	1	1	1.0	1.0
4	吴道雄	中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心	1	1	1.0	1.0