基本半导体:将SiC功率器件提携至高光之下

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 功率半导体器件 物理极限 第三代半导体材料 半导体 GAN 抗辐射 恶劣条件 高功率
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 页码范围: 14-15
• 页数: 2页
• 分类号: TN3

摘要

随着功率半导体器件逐渐往高压、高频方向发展,传统的硅基功率半导体器件及其材料越来越接近物理极限,再往下发展的空间很有限。因而业界纷纷将目光转向以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料,以期开发出更能适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的功率半导体器件。目前,国内外功率半导体大厂正在加紧布局中。