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摘要:
介绍了一种以损耗分析为依据的MOSFET选型方法.基于栅极驱动的二阶模型对不同栅极电阻下MOSFET导通时间产生的损耗进行了对比分析,同时完成了印制板寄生电感、开关频率等栅极驱动影响因素的仿真验证.对同步BUCK变换器中MOSFET选型应用进行分析与实验,结果表明该方法可用于工程实践中MOSFET选型及驱动设计分析,可以有效提高MOSFET设计的可靠性.
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文献信息
篇名 同步BUCK变换器中MOSFET选型应用研究
来源期刊 单片机与嵌入式系统应用 学科 工学
关键词 损耗分析 栅极驱动 同步BUCK变换器 MOSFET选型
年,卷(期) 2019,(11) 所属期刊栏目 应用天地
研究方向 页码范围 75-77,81
页数 4页 分类号 TN386
字数 1923字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张勇 9 3 1.0 1.0
2 郗小鹏 8 15 3.0 3.0
3 陈帅 4 5 2.0 2.0
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栅极驱动
同步BUCK变换器
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单片机与嵌入式系统应用
月刊
1009-623X
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大16开
北京海淀区学院路37号《单片机与嵌入式系统应用》杂志社
2-765
2001
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