0.18μm CMOS高线性低噪声混频器设计

• 作者: 张照锋 张长春 徐结海
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 混频器 线性度 噪声系数 电容交叉耦合 电流注入
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 页码范围: 1362-1366
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 2552字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.06.003

摘要

采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于超外差接收机的高线性度、低噪声系数下变频混频器.基于经典基尔伯特混频器架构,该混频器采用共栅结构跨导级提高线性度,引入电容交叉耦合技术增加跨导增益及降低噪声系数,并通过电流注入技术同时降低开关级和跨导级的噪声贡献.在1.8 V电源电压下,后仿真结果显示,该混频器消耗功耗12 mW,取得噪声系数10.75 dB,输入1 dB压缩点-1.45 dBm,达到了预期的高线性度、低噪声系数性能要求.该混频器占用面积为650μm×655μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长春		29	83	5.0	7.0
2	张照锋		40	50	4.0	5.0
3	徐结海		11	61	4.0	7.0