GaN中质子辐照损伤的分子动力学模拟研究

• 作者: 何欢 廖文龙 张家辉 柳文波 臧航 贺朝会
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 分子动力学 GaN 点缺陷 辐照损伤
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 1117-1121
• 页数: 5页
• 分类号: TL99
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2018.youxian.0535

摘要

本文利用分子动力学方法研究了GaN在质子辐照下的损伤.对不同能量(1～10 keV)初级离位原子(PKA)引起的级联碰撞进行了研究,分析了点缺陷与PKA能量的关系、点缺陷随时间的演化规律、点缺陷的空间分布及点缺陷团簇的尺寸特征.研究结果表明,点缺陷的产生与PKA能量呈线性关系,不同类型的点缺陷随时间演化规律相似,点缺陷多产生在PKA径迹旁,点缺陷团簇多为孤立的点缺陷和小团簇.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺朝会	西安交通大学核科学与技术学院	35	120	5.0	10.0
2	臧航	西安交通大学核科学与技术学院	7	13	2.0	3.0
3	何欢	西安交通大学核科学与技术学院	2	0	0.0	0.0
4	廖文龙	西安交通大学核科学与技术学院	2	0	0.0	0.0
5	柳文波	西安交通大学核科学与技术学院	2	3	1.0	1.0
6	张家辉	西安交通大学核科学与技术学院	1	0	0.0	0.0