新型闪烁晶体Gd3(Al,Ga)5O12:Ce3+的研究进展

• 作者: 丁栋舟 任国浩 孟猛 施俊杰 祁强 赫崇君
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 闪烁晶体 掺杂 GAGG 光输出 能量分辨率
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 1386-1394
• 页数: 9页
• 分类号: O734
• 字数: 7524字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.08.002

摘要

无机闪烁晶体在核辐射探测领域有重要的应用,铈掺杂铝酸钆镓(Gd3(Al,Ga)5O12:Ce,缩写为GAGG:Ce)闪烁晶体性能优良,在高能物理、γ相机等应用领域有广阔的应用前景,因此成为了当前闪烁体领域的研究热点.本文总结了GAGG:Ce闪烁晶体近年来主要的研究进展;分析了GAGG:Ce晶体的结构及其稳定性;阐述了反位缺陷对晶体发光性能的影响;通过"带隙工程"理论解释了Gd、Ga离子掺杂消除反位缺陷的机理;总结了近年来GAGG:Ce晶体生长中存在的问题及解决途径;梳理了GAGG:Ce晶体的发光机理、闪烁性能及其影响因素;对各国团队通过阳离子掺杂的"缺陷工程"理论抑制GAGG:Ce晶体闪烁衰减慢分量的研究进行分析总结;展望了GAGG:Ce闪烁晶体发展方向.