基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应

• 作者: 刘静 王琳倩 黄忠孝
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 电流崩塌效应 缓冲层陷阱
• 年，卷（期）: 2019,（24）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 347-353
• 页数: 7页
• 字数: 4088字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20191311

摘要

基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道电子跃迁至缓冲层,并被缓冲层中的陷阱俘获是造成电流崩塌的主要原因之一.提出了势垒层局部凹槽结构,降低了栅边缘漏侧的电场峰值,使电场分布更加均匀,改善了器件的电流崩塌效应.与传统AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构相比,新器件结构对电流崩塌效应的抑制作用至少提升了22.30％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘静	西安理工大学电子工程系	58	261	8.0	14.0
2	王琳倩	西安理工大学电子工程系	2	0	0.0	0.0
3	黄忠孝	西安理工大学电子工程系	1	0	0.0	0.0