具有石墨烯/铟锑氧化物复合透明电极的GaN发光二极管

• 作者: 王乐 王嘉露 邓杰 邰建鹏 郭伟玲
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 透明电极 石墨烯 铟锑氧化物 比接触电阻率
• 年，卷（期）: 2019,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 301-305
• 页数: 5页
• 字数: 3053字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20190983

摘要

近年来,石墨烯材料由于优异的光电性能获得了广泛关注,并应用于发光二极管的透明电极以取代昂贵的铟锑氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极,但由于石墨烯与p-GaN功函数不匹配,二者很难形成好的欧姆接触,因而造成器件电流扩展差和电压高等问题.本文将ITO薄层作为石墨烯透明电极与p-GaN间的插入层,以改善石墨烯与p-GaN层的欧姆接触.所制备的石墨烯透明电极的方块电阻为252.6 Ω/口,石墨烯/ITO复合透明电极的方块电阻为70.1 Ω/口;石墨烯透明电极与p-GaN层的比接触电阻率为1.92×10-2 Ω·cm2,ITO插入之后,其比接触电阻率降低为1.01×104 Ω·cm2;基于石墨烯透明电极的发光二极管(light emittingdiode,LED),在20 mA注入电流下,正向电压为4.84V,而石墨烯/ITO复合透明电极LED正向电压降低至2.80 V,且光输出功率得到提高.这归因于石墨烯/ITO复合透明电极与p-GaN界面处势垒高度的降低,进而改善了欧姆接触;另外,方块电阻的降低,使得电流扩展均匀性也得到了提高.所采用的复合透明电极减少了ITO的用量,得到了良好的欧姆接触,为LED透明电极提供了一种可行方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟玲	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	74	656	10.0	23.0
2	王嘉露	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	5	4	1.0	2.0
3	王乐	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	邰建鹏	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	4	6	1.0	2.0
5	邓杰	北京工业大学光电子技术教育部重点实验室	5	7	2.0	2.0