大破口失水事故工况下碳化硅惰性氧化模型研究

• 作者: 余红星 孙玉发 申亚欧 钱立波 陈伟
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 大破口失水事故 碳化硅 惰性氧化
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 反应堆工程
• 页码范围: 1280-1287
• 页数: 8页
• 分类号: TL333
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2018.youxian.0652

摘要

与传统Z r包壳相比,S iC复合包壳具有更好的辐照稳定性、高温机械性能和抗氧化能力,可有效缓解事故进程,增加事故应对时间.在大破口失水事故工况下,S iC复合包壳会与低压高温水蒸气发生惰性氧化反应而持续损耗.S iC材料的惰性氧化反应分为两个过程:S iC抛物线型氧化过程和S iC表面氧化产生的SiO2的线性挥发过程.本文应用修正的Deal-Grove模型和传热/传质类比法研究SiC的抛物线型氧化速率和SiO2的线性挥发速率,并基于纯水蒸气环境下SiC氧化实验数据和SiO2线性挥发实验数据,获得了SiC抛物线型氧化速率常数模型和SiO2线性挥发速率常数模型.理论模型分析结果显示,在大破口失水事故后低压高温纯水蒸气氧化条件下,S iC材料的氧化速率常数较Z r合金低约2～3个数量级,导致S iC材料的损耗速率远低于传统Z r包壳的损耗速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙玉发		9	14	3.0	3.0
2	余红星		63	138	8.0	10.0
3	陈伟		11	0	0.0	0.0
4	申亚欧		8	2	1.0	1.0
5	钱立波		4	3	1.0	1.0