Ⅲ族氮化物半导体材料的制备及应用研究进展

• 作者: 关卫省 杨帆 王美琪
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ族氮化物 半导体纳米材料 制备方法 应用
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 1203-1207
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 字数: 6063字
• 语种: 中文

摘要

随着第二代半导体的逐渐落后,Ⅲ族氮化物半导体作为具有优良性质的最新一代的半导体材料,已经登上历史的舞台.综述重点归纳了以BN、AlN、GaN、InN为代表的Ⅲ族氮化物纳米材料的典型制备方法、目前的应用现状,并对存在的问题加以总结.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关卫省	长安大学环境科学与工程学院旱区地下水文与生态效应教育部重点实验室	87	767	16.0	22.0
2	杨帆	长安大学环境科学与工程学院旱区地下水文与生态效应教育部重点实验室	29	159	6.0	12.0
3	王美琪	长安大学环境科学与工程学院旱区地下水文与生态效应教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0