n型GaN过渡族难熔金属欧姆电极对比

• 作者: 何天立 李庚伟 李成明 魏鸿源
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: n型GaN 欧姆接触 快速热退火 铪
• 年，卷（期）: 2019,（20）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 234-239
• 页数: 6页
• 字数: 2662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20190717

摘要

研究了过渡族难熔金属Hf体系Hf/Al电极在不同退火条件下与n型GaN的欧姆接触特性,并与Ti基Ti/Al电极进行了对比.采用圆点型传输线模型测量了Hf/Al和Ti/Al电极的比接触电阻率.结果表明,同等退火条件下的Hf/Al电极,相比于传统Ti/Al电极,展现出了更加优越的欧姆接触性能.在N2氛围中低温650℃条件下退火60 s的Hf/Al电极得到了最低的比接触电阻率为4.28×10–5 W·cm2.本文还利用深度剖析的俄歇电子能谱仪对电极的结构特性进行了分析,经历退火的Hf/Al电极样品中金属与金属,金属与GaN之间发生了相互扩散.对Hf/Al,Ti/Al电极表面进行了扫描电子显微镜表征,两种电极均表现出颗粒状的粗糙表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏鸿源	中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室	4	3	1.0	1.0
2	李成明	中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室	5	43	3.0	5.0