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适用于3D NAND的高稳定度的Capacitor-free LDO
适用于3D NAND的高稳定度的Capacitor-free LDO
作者:
万金梅
刘飞
曾子玉
霍宗亮
原文服务方:
现代电子技术
LDO
米勒补偿
3DNAND
电路设计
仿真实验
稳定性分析
摘要:
文中设计一种应用于3D NAND的无片外补偿电容的LDO,该电路在传统嵌套米勒补偿的基础上,增加"gm减小电路"和"轻重载控制电路",实现在空载(电流负载为零)且有大负载电容条件下的稳定.此设计应用YMTC 0.18μm工艺实现,仿真结果显示,在2.5~3.6 V电源供电下,整个电路消耗的静态电流为50μA,总补偿电容为7 pF,电路稳定的时间小于6μs,输出线性调整率小于2.2 mV/V,负载调整率小于0.9 mV/mA.
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文献信息
篇名
适用于3D NAND的高稳定度的Capacitor-free LDO
来源期刊
现代电子技术
学科
关键词
LDO
米勒补偿
3DNAND
电路设计
仿真实验
稳定性分析
年,卷(期)
2019,(24)
所属期刊栏目
电子与信息器件
研究方向
页码范围
42-45
页数
4页
分类号
TN911-34|TP301.6
字数
语种
中文
DOI
10.16652/j.issn.1004-373x.2019.24.010
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
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1
刘飞
71
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霍宗亮
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万金梅
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曾子玉
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被引次数趋势
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研究主题发展历程
节点文献
LDO
米勒补偿
3DNAND
电路设计
仿真实验
稳定性分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
主办单位:
陕西电子杂志社
出版周期:
半月刊
ISSN:
1004-373X
CN:
61-1224/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1977-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
23937
总下载数(次)
0
总被引数(次)
135074
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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