原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
文中设计一种应用于3D NAND的无片外补偿电容的LDO,该电路在传统嵌套米勒补偿的基础上,增加"gm减小电路"和"轻重载控制电路",实现在空载(电流负载为零)且有大负载电容条件下的稳定.此设计应用YMTC 0.18μm工艺实现,仿真结果显示,在2.5~3.6 V电源供电下,整个电路消耗的静态电流为50μA,总补偿电容为7 pF,电路稳定的时间小于6μs,输出线性调整率小于2.2 mV/V,负载调整率小于0.9 mV/mA.
推荐文章
一种适用于3D NAND闪存的分布式功率级LDO设计
分布式功率级
升压电路
环路瞬态响应速度
3D NAND闪存
3D NAND Flash测试平台设计与实现
3D NAND Flash
时序验证
存储特性
适用于3D裸芯片叠层塑封器件的DPA试验方法研究
3D叠层塑封器件
破坏性物理分析
X射线检查
声学扫描显微镜检查
内部目检
一种适用于LDO的三级误差放大器的设计
LDO
低压三级运放
单密勒电容
共模抑制比
电源抑制比
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 适用于3D NAND的高稳定度的Capacitor-free LDO
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 LDO 米勒补偿 3DNAND 电路设计 仿真实验 稳定性分析
年,卷(期) 2019,(24) 所属期刊栏目 电子与信息器件
研究方向 页码范围 42-45
页数 4页 分类号 TN911-34|TP301.6
字数 语种 中文
DOI 10.16652/j.issn.1004-373x.2019.24.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘飞 71 509 12.0 19.0
5 霍宗亮 10 8 2.0 2.0
14 万金梅 1 0 0.0 0.0
23 曾子玉 1 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (11)
共引文献  (0)
参考文献  (5)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1976(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2000(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2002(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2003(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2008(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2009(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2010(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2013(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
2014(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
2015(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
2016(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2017(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2019(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
LDO
米勒补偿
3DNAND
电路设计
仿真实验
稳定性分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
总下载数(次)
0
总被引数(次)
135074
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导