在蓝宝石衬底上外延生长ZnGa2O4纳米线及其表征

• 作者: 孙姝婧 李康 李鹏坤 熊庭辉 陈晨龙
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnGa2O4纳米线 化学气相沉积法 光致发光 蓝宝石衬底
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 992-996
• 页数: 5页
• 分类号: TQ139.2
• 字数: 3537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2019.06.005

摘要

使用一种简单的化学气相沉积法成功地在c面蓝宝石衬底上外延生长了整齐排列的ZnGa2O4单晶纳米线.研究了在不同生长温度和生长压力下外延生长ZnGa2O4纳米线,并使用XRD,SEM和TEM对产物进行了表征.结果 表明,在生长条件为980℃和100 Torr时,可以外延生长出整齐排列的ZnGa2O4纳米线.所制备的ZnGa2O4纳米线直径为60 ～ 150 nm,并遵循Au催化的VLS生长机制沿其四个结晶学方向在蓝宝石上外延生长.分析了纳米线沿四个方向生长的原因,并对纳米线的光致发光性能进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李康	中国科学院福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室	27	94	4.0	9.0
5	熊庭辉	中国科学院福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室	2	2	1.0	1.0
6	李鹏坤	中国科学院福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室	1	0	0.0	0.0
7	孙姝婧	中国科学院福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室	1	0	0.0	0.0