基于副边谐振技术的单端反激式变换器EMI分析

• 作者: 陈勇 陈强 陈章勇
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单端变换器 软开关技术 副边谐振 电磁干扰
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 728-737
• 页数: 10页
• 分类号: TM46
• 字数: 5600字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.180106

摘要

针对传统单端变换器中电压和电流变化率大、电磁干扰严重的问题,研究一种基于副边谐振技术的单端反激式变换器,在应用副边谐振技术后,该变换器谐振电容电压的影响和励磁电感的设计可使开关管电压、电流应力降低,谐振腔的位置设计将整流二极管和谐振二极管的端电压钳位在输出电压,合适大小的谐振周期可以使谐振二极管实现零电流关断.本文分析断续导通模式下副边谐振变换器的噪声耦合路径、等效模型、噪声优化理论.分析结果表明:引入副边谐振技术后,共模噪声源减小,合理设计谐振腔可增大等效阻抗,进一步减小共模电压;相比传统反激变换器,励磁电感设计得更大,从而降低变压器的电流纹波,减小差模噪声.搭建仿真模型和60W实物样机,实验验证了副边谐振技术可以有效降低电磁干扰水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈强	电子科技大学自动化工程学院电动汽车动力系统与安全技术研究所	7	15	3.0	3.0
2	陈勇	电子科技大学自动化工程学院电动汽车动力系统与安全技术研究所	66	345	9.0	15.0
3	陈章勇	电子科技大学自动化工程学院电动汽车动力系统与安全技术研究所	7	0	0.0	0.0