Si和SiC功率器件结温提取技术现状及展望

• 作者: 李武华 杨军一 王莉娜 邓洁
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功率半导体器件 硅 碳化硅 结温提取 温敏参数
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 703-716
• 页数: 14页
• 分类号: TM464
• 字数: 11155字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.180296

摘要

对功率半导体器件结温的在线准确提取是实现器件智能控制、性能评估、主动热管理、健康状态评估及优化器件寿命等的重要基础.本文梳理了现有基于温敏参数的Si(硅)和SiC(碳化硅)功率器件结温提取方法的机理和主要特点,从灵敏度、测量频率、侵入性和线性度等指标对已有方法进行了性能评估.在此基础上,结合SiC JFET(结型场效应晶体管)器件的温度特性,提出一种新颖的基于栅-源极间寄生PN结击穿电压的SiC JFET器件非侵入性在线结温提取方法,仿真结果证明了所提出方法的正确性和有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王莉娜	北京航空航天大学自动化科学与电气工程学院	31	374	9.0	19.0
2	李武华	浙江大学电气工程学院	57	746	15.0	27.0
3	邓洁	北京航空航天大学自动化科学与电气工程学院	2	0	0.0	0.0
4	杨军一	北京航空航天大学自动化科学与电气工程学院	1	0	0.0	0.0