六方氮化硼表面石墨烯纳米带生长与物性研究

• 作者: 姜程鑫 王慧山 王浩敏 陈令修 陈晨
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 石墨烯 六方氮化硼 石墨烯纳米带 范德瓦尔斯异质结
• 年，卷（期）: 2019,（16）
• 所属期刊栏目: 专题:纪念黄昆先生诞辰百年
• 页码范围: 303-315
• 页数: 13页
• 字数: 6050字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20191036

摘要

石墨烯作为二维原子晶体家族的典型代表,由于其优异的物理与化学特性而受到学术界与工业界的广泛关注.石墨烯纳米带是宽度仅有几纳米到几十纳米的石墨烯.纳米带不但继承了石墨烯大部分优异的性能,而且具备可调控带隙、自旋极化边界态等石墨烯所不具有的新奇物理特性.这些特性使石墨烯纳米带成为未来探索石墨烯电子学应用所需要重点研究的对象.利用与石墨烯晶格结构相似的六方氮化硼(h-BN)作为绝缘介质衬底进行石墨烯及石墨烯纳米带制备,不仅可以有效地保持它们优异的本征性质,还可以开发出与主流半导体工艺相兼容的电子器件工艺与应用.本文回顾了近几年h-BN表面石墨烯及石墨烯纳米带研究的发展历程,详细阐述了最近的材料制备和物性研究的进展,并对高质量h-BN衬底制备的最新进展进行介绍,以期为未来实现高质量h-BN表面石墨烯纳米带的规模化制备并最终实现电子器件应用奠定基础.最后本文对h-BN表面石墨烯及石墨烯纳米带的未来研究方向进行了展望.