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摘要:
为提升Flash存储器中的数据质量水平,达到SOC芯片对大容量数据高速率、可靠性的存储需求,首先介绍了嵌入式Flash高速存储器的应用性能及基本构成,并透过FLASH存储器中数据坏块和位交换故障对数据存储质量的影响性,引入基于阈值控制的损耗均衡算法,将损耗均分至不同的物理块上,控制坏块发生率;同时,融合ECC校验算法对发生位交换故障的数据进行修正.研究发现,损耗均衡算法通过将各数据块的擦除次数达到近似均衡,延长了Flash存储器的使用寿命,而ECC通过写校验码和读校验码的异或运算,便可实现对错误数据的纠正,两种算法的流程简单、可操作性强,可对Flash存储器数据质量进行有效控制.
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文献信息
篇名 嵌入式高速存储器中数据质量控制方法分析
来源期刊 电子测量技术 学科 工学
关键词 FLASH存储器 数据质量控制 损耗均衡算法 ECC校验算法
年,卷(期) 2019,(18) 所属期刊栏目 可编程器件应用
研究方向 页码范围 118-122
页数 5页 分类号 TP274
字数 语种 中文
DOI 10.19651/j.cnki.emt.1902832
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1 郭杰 18 33 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
FLASH存储器
数据质量控制
损耗均衡算法
ECC校验算法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子测量技术
半月刊
1002-7300
11-2175/TN
大16开
北京市东城区北河沿大街79号
2-336
1977
chi
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9342
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50
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