金属硅化物阻挡层刻蚀对一次性编程单元数据保持性能的影响

• 作者: 黄庆丰
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 金属硅化物阻挡层SAB 干法刻蚀 湿法刻蚀 OTP 数据保持
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 43-45
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2278字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.08.015

摘要

在0.18μm通用平台上加入一次性编程单元(OTP)后组成的衍生工艺被广泛应用于微控制单元(MCU)设计,由于OTP的尺寸非常小,为了使OTP拥有良好的数据保持(Data Retention)能力,SAB模组工艺非常关键,尤其是SAB刻蚀工艺,不能再采用同标准0.18μm工艺平台一样的单一刻蚀方法,必须采用以干法刻蚀为主、湿法刻蚀为副,干、湿相结合的方式进行刻蚀.因OTP的数据保持性能与干法刻蚀后有源区表面剩余SAB的量有关,所以SAB干法刻蚀非常关键.实验表明,只要干法刻蚀后有源区表面剩余SAB厚度控制在180 A,工艺窗口±50 A,OTP Cell有源区表面可免遭不可逆的等离子体损伤,而剩下的SAB也能通过湿法刻蚀去除干净且有较大的工艺窗口.OTP因此具备较好的数据保持性能,晶圆由此实现高良率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄庆丰		2	0	0.0	0.0