40nm CMOS工艺平台多叉指NMOS器件设计与截止频率提升

• 作者: 冯悦怡 刘林林 王全
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 工艺技术 CMOS 射频 截止频率
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1658字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.08.013

摘要

随着CMOS工艺节点的发展,MOS器件截止频率因栅长的缩小而越来越高.而简单MOS器件布局因栅极材料电阻率高,寄生电阻大而不利于截止频率的提升.研究了多叉指MOS器件的沟道宽长比、叉指数及其排布和走线,优化MOS器件的寄生参数.经过版图设计与出版流片,验证了40 nm低功耗工艺平台上截止频率可达217 GHz,在77 GHz频率增益超过10 dB,是CMOS防撞系统射频前端芯片的工艺平台选择之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王全		3	1	1.0	1.0
2	刘林林		2	0	0.0	0.0
3	冯悦怡		2	0	0.0	0.0