石墨烯在GaN表面的直接制备及其在GaN-LED中的应用研究

• 作者: 孙捷 樊星 熊访竹 王乐 符亚菲 董毅博 郭伟玲
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 化学气相沉积 直接生长 GaN-LED
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 研究·开发
• 页码范围: 3085-3089
• 页数: 5页
• 分类号: TN364.2
• 字数: 3437字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2019.03.014

摘要

石墨烯具有优良的光电特性,它能够替代传统的ITO材料用作GaN-LED的透明导电层.为了使上述应用实现工业化生产,利用热壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生长的最佳条件,解释了直接生长的机理,直接生长的最佳条件为生长温度800℃,生长时间60 min,CH4和H2的分压比分别为1.59％和3.17％,该条件下得到具有明显2 D峰的多层石墨烯.利用冷壁CVD研究了石墨烯在GaN表面的低温生长并制造了相应的GaN-LED,测试了其性能,结果表明生长温度高于700℃时器件的性能明显降低.该研究对实现石墨烯在LED中的工业化应用具有积极意义.