掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁

• 作者: 丛伟艳 宋迎新 李斌 李素梅 王爱芳 郑卫民 黄海北
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 远红外吸收谱 Raman光谱 光致发光光谱 Be受主能态结构
• 年，卷（期）: 2019,（18）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 238-243
• 页数: 6页
• 字数: 3607字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20190254

摘要

通过远红外吸收谱、光致发光光谱和拉曼散射光谱,对均匀掺杂在GaAs材料中Be受主能级之间的跃迁进行了研究.实验中使用的GaAs:Be样品是通过分子束外延设备,生长在半绝缘(100)GaAs衬底之上的外延单层.在4.2 K温度下,对样品分别进行了远红外吸收光谱、光致发光光谱、Raman光谱的实验测量.在远红外吸收光谱中,清楚地观察到了从Be受主1S3/2Γ8基态到它的三个激发态2P3/2Γ8,2P5/2Γ8和2P5/2Γ7之间的奇宇称跃迁吸收峰.跃迁能量与先前文献中报道的符合得很好.从光致发光光谱中,观察到了Be受主从1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态的两空穴跃迁的发光峰,从而间接地找到了两能级之间的跃迁能量.在Raman光谱中,清楚地分辨出来了Be受主从1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态偶宇称跃迁的拉曼散射峰,直接得到了两能级间的跃迁能量.对比发现,分别直接和间接得到的1S3/2Γ8基态到2S3/2Γ8激发态跃迁能量结果是一致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	中国科学院上海技术物理研究所	372	5610	37.0	58.0
2	黄海北	山东大学化学与化学工程学院	2	0	0.0	0.0
3	宋迎新		4	0	0.0	0.0