宽禁带半导体行业深度:SiC与GaN的兴起与未来

• 作者: 刘尚 刘翔
• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 电子迁移率 半导体材料 击穿电场 光电子领域 微电子领域 硅材料 GAN
• 年，卷（期）: bpqsj_2019,（11）
• 页码范围: 41-48
• 页数: 8页
• 分类号: TN3

摘要

一、硅的瓶颈与宽禁带半导体的兴起1、Si材料的历史与瓶颈上世纪五十年代以来,以硅(Si)材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了集成电路(IC)为核心的微电子领域迅速发展。然而,由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低,Si在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制,在高频下工作性能较差,不适用于高压应用场景,光学性能也得不到突破。