超薄全耗尽SOI器件的总剂量效应研究

• 作者: 李宁 沈鸣杰 赵凯
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 SOI 全耗尽 总剂量辐照 NMOSFET
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 20-22
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 2874字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.09.008

摘要

研究了基于超薄SOI(UTSOI)的MOSFET总剂量辐照效应.研究主要基于晶体管的三个工作状态(ON状态、OFF状态、TG状态)和不同的背栅偏置条件进行了总剂量辐照试验.试验结果表明,采用超薄SOI材料制造的MSOFET,由总剂量辐照导致阈值漂移现象有所减弱.其中,OFF状态为最劣辐照条件.此外,背栅偏置条件对于MSOFET的性能也造成了较大的影响,NMSOFET在背栅正偏时,会导致阈值电压的降低从而提高器件的驱动电流,改善电路性能;而PMOSFET则在背栅负偏时出现类似的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李宁		5	16	2.0	4.0
2	沈鸣杰		3	2	1.0	1.0
3	赵凯		2	0	0.0	0.0